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| 2010-05-21 |
英飞凌推出TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管 |
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英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。 |
| 2009-11-24 |
飞兆MicroFET采用薄型封装，瞄准电池充电和功率多工应用 |
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飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。 |
| 2009-10-12 |
飞兆新推升压开关FDFME3N311ZT，为高频步进DC-DC设计实现高效率 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。 |
| 2009-10-10 |
飞兆发布升压开关FDFME3N311ZT，为高频步进DC-DC设计实现高效率 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。 |
| 2009-08-21 |
安森美新推4款肖特基势垒二极管，面向便携应用 |
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安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。 |
| 2008-12-26 |
ROHM开发出超小1608规格封装尺寸的二极管 |
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半导体制造商ROHM株式会社为了满足便携式音频播放器、游戏机和数码相机等对小型化、薄型化要求高的便携式机器市场的需要，开发出属于业界超小级别的二极管封装「KMD2」(1608规格尺寸)。按照计划，采用这种封装的肖特基势垒二极管将从2008年12月开始逐步供应样品 (样品价格100/个); 从2009年4月以月产1000万个的规模开始批量生产。 |
| 2008-12-24 |
Micrel推出完全整合的升压调节器MIC2605/6 |
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麦克雷尔公司(Micrel Inc.)推出两款具备宽输入范围整合开关和肖特基二极体的新型升压调节器MIC2605/6，两款元件的执行频率分别为1.2MHz(MIC2605)和2MHz(MIC2606)，可提供0.5A以内的开关电流。 |
| 2008-12-16 |
Vishay推出业界最小的20V n通道功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管 --- SiB800EDK ，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着 Vishay将其在 100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。 |
| 2008-11-26 |
飞兆推出针对便携式应用的全新超薄MicroFET产品FDMA1027 |
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飞兆半导体公司推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。 |
| 2008-11-10 |
凌力尔特发布超低功率升压转换器LT8410/-1 |
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凌力尔特公司推出 LT8410/-1 低噪声微功率升压型转换器，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和逆向电压保护二极管、以及输出断接电路，采用 2mm x 2mm DFN 封装。LT8410/-1 使用一种独特的设计方法，仅需要 8.5uA 静态电流，在停机时进一步降低至 0uA。 |
| 2008-08-13 |
凌力尔特推出微功率低噪声升压型转换器LT3495/-1 |
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凌力尔特公司 (Linear) 推出低噪声升压型转换器 LT3495/-1，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。LT3495 使用 650mA 开关，而 LT3495-1 使用 350mA 开关。这两款器件都采用 2mm x 3mm DFN-10 封装。 |
| 2008-08-04 |
Linear发布单个高压理想二极管控制器LTC4358 |
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凌力尔特公司 (Linear) 推出单个高压理想二极管控制器 LTC4358，该器件采用一个内部 5A MOSFET，以在大电流应用中为肖特基二极管提供一个简单、低损耗的替代品。 |
| 2008-07-22 |
卓芯微电子推出集成肖特基的P型MOSFET产品RCRH010FA/RCRH003FB |
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卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。 |
| 2008-07-15 |
Vishay发布第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045 |
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Vishay宣布推出最大结温高达 +175℃ 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与 60CPT045 器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。 |
| 2008-05-30 |
捷特科推出驱动MOSFET的专用整流器控制器ZXGD3101 |
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Zetex（捷特科）推出一款驱动MOSFET的专用整流器控制器，从而使 50 至 150W 的同步反激式转换器成为完美的二极管。ZXGD3101 可使设计人员以表面贴装 MOSFET 取代有损耗的肖特基二极管。 |
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