GaAs相关技术术语
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| 2010-10-09 | 增加GaAs技术，RFMD扩展晶圆代工服务 增加GaAs技术，RFMD扩展晶圆代工服务 |
| 2010-08-23 | Avago打造SOT-89功率放大器增益方块解决方案 Avago Technologies宣布推出四个最新增益方块解决方案，其特点高线性度、高增益、出色的增益平坦度和低功率消耗。MGA-31189和MGA-31289 0.25瓦特，以及MGA-31389和MGA-31489 0.10瓦特增益方块的性能增益可通过Avago的专有技术，0.25μm的GaAs增强模式pHEMT半导体工艺来实现。 |
| 2010-08-02 | 安华高科技有源偏置放大器MGA-633P8问世 Avago Technologies (安华高科技)于最近宣布推出一款GaAs MMIC 低噪声放大器新品MGA-633P8，作为AVAGO超低噪声、高增益、高线性 GaAs 有源偏置放大器家族的新成员，该器件得到了越来越多工程师的青睐。 |
| 2010-05-18 | 飞思卡尔进军GaAs MMIC市场，四款新产品先行 飞思卡尔进军GaAs MMIC市场，四款新产品先行 |
| 2010-04-07 | CEL推出μPG2251T6M微型PA，适合802.15.4/ZigBee应用 CEL推出802.15.4/ZigBee应用的微型PA，μPG2251T6M GaAs PA尺寸为2×2×0.37mm，无需RF元件匹配—用于有限PCB空间的产品设计如智能手机，数码相机，手持游戏设备和其它用于蓝牙，802.15.4/ZigBee和其它2.4-GHz应用的消费电子产品。 |
| 2010-02-04 | NJR研制适合于便携式数字电视的GaAs MMIC NJG1139UA2 NJR研制适合于便携式数字电视的GaAs MMIC NJG1139UA2 |
| 2009-08-17 | 光纤模拟芯片市场持续增长，GaAs和InP成关键支持技术 光纤模拟芯片市场持续增长，GaAs和InP成关键支持技术 |
| 2009-07-16 | 安华高新推平衡低噪声放大器MGA-16516/17516 Avago Technologies(安华高科技)日前宣布，推出两款超低噪声、高增益并且高线性度的GaAs平衡低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)，常适合移动网络基础设施应用。Avago的MGA-16516/17516为价格低廉、使用容易低噪声放大器系列的最新产品，可以大幅度改善移动网络基础设施应用的灵敏度和动态范围。 |
| 2009-04-17 | TriQuint用于光通信网络的驱动放大器TGA4943-S和TGA4956-SM TriQuint 半导体公司推出两款驱动放大器 --- TGA4943-SL（40Gb/s）和TGA4956-SM（10Gb/s）。TGA4943-SL是用于下一代40Gb/s光通信网络的首款表面贴装技术（SMT）器件，这款高性能器件将可简化装配，并大幅降低功耗，使工程师能够设计出市场所需的更快、更经济的网络；TGA4956-SM是应用于 10Gb/s光通信市场，尺寸更小、性能更高的驱动放大器。 |
| 2009-04-02 | MIT:单一石墨烯晶体管倍频器打破高频应用极限 美国麻省理工学院科研人员最近展示了一款由单一石墨烯晶体管打造的倍频器。麻省理工学院科研人员表示，通过采用石墨烯晶体管可以利用相对简单的架构来实现复杂的新型电路。 |
| 2008-12-31 | 新日本无线推出宽带低噪声放大器NJG1129MD7 新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。 |
| 2008-10-24 | 锐迪科推出高线性2.5-2.7 GHz WiMAX宽带功率放大器RDAW263 近日，锐迪科微电子(RDA)宣布，采用GaAs InGaP HBT 工艺的高线性 2.5-2.7 GHz WiMAX 宽带功率放大器 RDAW263 投入量产。RDAW263 具有非常出色的性能，在高水平的输出功率下表现出优异的线性和效率。 |
| 2008-10-09 | 光电池业务将刺激市场对GaAs衬底的需求 光电池业务将刺激市场对GaAs衬底的需求 |
| 2008-09-03 | ANADIGICS推出HELP3功率放大器AWT6221，平均耗电量减少了75% ANADIGICS日前宣布其HELP3功率放大器AWT6221将平均耗电量减少了75%，从而使通话时间增加了25%。AWT6221采用了该公司特有的InGaP-Plus技术，能够在同一个InGaP GaAs模块中整合双极晶体管和场效晶体管(FET)设备。 |
| 2008-02-29 | GaAs太阳能电池取得重大突破 GaAs太阳能电池取得重大突破 |
| 2008-02-25 | Hittite发布一系列激励放大器涵盖从直流到65GHz频带范围 Hittite微波公司日前发布了一系列芯片式GaAs HEMT MMIC驱动放大器和调制激励放大器产品，实现了从直流到65GHz的工作频带范围。这些Hittite-Velocium激励放大器产品目前由Hittite公司独家供应，适用于多种应用领域。 |
| 2008-02-18 | Hittite发布一系列GaAs HEMT宽带LNA产品 Hittite发布一系列GaAs HEMT宽带LNA产品 |
| 2008-02-14 | Hittite发布新型MMIC宽带模拟VVA系列芯片 Hittite微波公司近日发布了基于GaAs PIN二极管的新型MMIC宽带模拟VVA（Voltage Variable Attenuator，可变电压衰减器）系列芯片，能够工作在17～86GHz的频带下。这些Hittite-Velocium VVA产品可广泛应用于军事、航空和各种商用领域，包括E-band和短途微波无线通信、ECM、SATCOM、传感器、车载雷达和测试仪器等。 |
| 2008-02-04 | 新日本无线针对GPS手机推出低噪声放大器NJG1117HA8 新日本无线(New Japan Radio, NJR)已完成开发最适用于配备GPS功能手机的低噪声放大器GaAs MMIC——NJG1117HA8，具备低消耗电流、低噪声及体积小巧等特点，并开始样品供货。 |
| 2008-01-30 | 新日本无线推出用于GPS的高增益低噪声放大器NJG1130KA1 新日本无线(New Japan Radio, NJR)完成开发最适用于配备GPS(全球定位系统)功能的便携式终端的高增益低噪声放大器(High gain/Low Noise Amplifier)GaAs MMIC--NJG1130KA1。 |
| 2008-01-29 | 新日本无线推出宽带低噪声放大器GaAs MMIC 新日本无线推出宽带低噪声放大器GaAs MMIC |
| 2008-01-03 | Hittite发布2.5～7GHz双平衡GaAs MESFET混频器 Hittite发布2.5～7GHz双平衡GaAs MESFET混频器 |
| 2008-01-02 | Hittite发布用于WIMAX基础设施的3～7GHz无源GaAs混频器 Hittite发布用于WIMAX基础设施的3～7GHz无源GaAs混频器 |
| 2007-12-31 | Hittite推出3～7GHz无源GaAs混频器 Hittite推出3～7GHz无源GaAs混频器 |
| 2007-12-29 | Hittite发布3.5～7GHz GaAs低噪声放大器 Hittite发布3.5～7GHz GaAs低噪声放大器 |
| 2007-12-19 | 从容应对CMOS和NGa PA冲击，GaAs仍有发展空间 从容应对CMOS和NGa PA冲击，GaAs仍有发展空间 |
| 2007-10-30 | 新日本无线低噪声放大器MMIC设有旁通电路 新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHz CDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6，并开始样品供货。 |
| 2007-10-26 | 低成本CMOS功率放大器技术面向3G手机应用 是否有可能为3G手机制造一种能效与功能可媲美砷化镓功率放大器(GaAs PA)的低成本CMOS PA？对于这个问题，法国Acco半导体公司相信他们已经找到了实现途径。 |
| 2007-10-23 | 设计指南：四频段GSM/EDGE功率放大器模块分析 如何才能实现高效能且多频段的GSM/EDGE功率放大器模块？锐迪科微电子新推出的RDA6216提供了一个设计方案。这款芯片中的功率放大器和控制器分别采用了高稳定性的InGap/GaAs HBT工艺和CMOS工艺，芯片封装为6mm×6mm LGA，射频输入输出端均匹配在50欧姆，Ramping控制端集成了瞬态谱滤波器，芯片外围电路只需要一个滤波电容即可，因而可以简化PCB设计，同时减少PCB占用的空间。 |
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