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| 2011-02-18 | 美科学家新方法让氮化镓功率承受能力提升十倍 氮化镓(Gallium nitride，GaN)被视为制作高功率电子组件的新一代材料，但到目前为止该材料都受到约略高于250V的崩溃电压(breakdown)所苦；美国北卡罗来纳州立大学(North Carolina State University)的研究人员表示，他们已经找到一种方法可将氮化镓组件崩溃电压提升至1,650V，并因此可让其功率承受能力(power handling)提升十倍。 |
| 2010-11-09 | GaN时代开启，功率MOSFET岌岌可危？ GaN时代开启，功率MOSFET岌岌可危？ |
| 2008-10-07 | IR新型GaN功率组件平台提升转换效率 IR新型GaN功率组件平台提升转换效率 |
| 2008-09-19 | IR宣称在功率器件技术上取得重大突破，“为电源转换开创新时代” 国际整流器公司(IR)已经开始利用专有的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台制造原型器件，这种器件经过5年的开发，据该公司称将在电源转换上推动重大突破。 |
| 2008-06-20 | GaN器件将迎来大发展，年复合年均增长率达到80 GaN器件将迎来大发展，年复合年均增长率达到80 |
| 2008-04-09 | 具备UMA/GAN功能的移动电话测试指导 具备UMA/GAN功能的移动电话测试指导 |
| 2007-12-19 | 从容应对CMOS和NGa PA冲击，GaAs仍有发展空间 由于快速的电子迁移率特别适合于高频高速信号的处理，目前大部分手机中的功放(PA)都采用GaAs来制造。不过这种材料居高不下的成本也一直为业界所诟病。最理想的办法是在12英寸晶圆上采用CMOS工艺来大规模量产这种射频前端器件，而研究人员也已在实现这一目标方面投入了大量工作，但时至今日在高频高速性能的PA领域仍然还没有其他可量产的工艺可与GaAs相媲美。 |
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